IGBTショート耐量
IGBTの短絡耐性時間は、そのトランスコンダクタンスまたはゲインとIGBTチップの熱容量に関係しています。 ゲインが高いとIGBT内の短絡電流が高くなるため、ゲインの低いIGBTの短絡レベルは低くなります。 しかしながら、より高い利得はまたより低いオン状態伝導損失をもたらし、そしてトレードオフがなされなければならない。 ＩＧＢＴ技術の開発は、短絡電流レベルを増加させるが、短絡耐用時間を減少させる傾向に寄与している。 加えて、技術の進歩は、より小さいチップサイズ、より小さいモジュールサイズ、しかし減少した熱容量およびさらに短い許容時間をもたらした。
さらに、それはIGBTのコレクタ - エミッタ間電圧と大きな関係を持っているので、産業用ドライブの並列傾向はより高いDCバス電圧レベルになる傾向があり、短絡耐性時間をさらに減少させます。 過去には、この時間範囲は10μsでしたが、近年では5μs3の方向で、ある条件下では1μsまで低下しています。
さらに、デバイスごとの短絡耐量も大きく異なります。そのため、IGBT保護回路では、通常、定格短絡耐量よりも余裕を持たせることをお勧めします。
ファンモーターを購入したい場合は、換気モーターに注意を払ってください。
