業界の動向に焦点を当てるし、炭化ケイ素の技術の開発を促進します。
、次世代パワー半導体のコア技術の方向として、SiC (炭化ケイ素) 伝統的な IGBT モジュールと比較しての主な利点はスイッチング損失が大幅に減少します。三菱電機は、1994 年早くこの技術の研究を開始しました。24 年後、三菱電機が最初と 2 番目の世代シリコン カーバイド チップし、大量生産を達成の開発に成功。さらに、博士 Gourab マジュムダール氏「三菱電機はいる第三世代に変換する」
SiC 技術の研究・開発・製品のストレージに三菱電機のコミットメントはなぜですか。Dr.GourabMajumdar は、技術的な解釈をしました。単結晶シリコンと比較して、炭化ケイ素は、高温抵抗 (炭化ケイ素は 200 ° C に耐えながら、単結晶シリコンの最大温度は 170 ° C)、低 (単結晶シリコンと比較して消費電力消費量 70% 削減)、高信頼性アプリケーションおよび他の利点。独自の省エネ機能付き電源コンポーネントとして炭化ケイ素は自然の利点があり、新しい市場を開くことができます。報道によると三菱電機の炭化ケイ素 6 インチ ラインは熊本、九州に位置し、2019 年に量産する予定です。
現時点では、炭化ケイ素パワー デバイスについてインバーター素子の応用分野が拡大しています。炭化ケイ素パワー デバイスの市場への浸透が非常に低コストの要因にもかかわらず、技術の進歩により、炭化ケイ素のコストが急速に低下、パワー半導体市場で主流の製品になる、将来。
炭化ケイ素パワー デバイスのアプリケーションの見通し、博士 Gourab マジュムダールが是認する、"現時点では、市場、単結晶シリコンにシリコンからの移行期に炭化。成熟したこの市場に非常を楽しみにしております、三菱電機もこのフィールドになります。多くのパフォーマンスのより豊富なより良い製品をお客様に提供すること。
