モータの電気的過剰ストレスの根本原因分析
フォーラムでは、「モーターが正常に動作しなくなった」、「モーターが損傷している」、「モーターが回転しなくなった」など、モーターに関する質問がよく表示されます。 その背後にある根本的な原因はEOSです。 以下では、EOSとは何かについて簡単に説明し、モータ駆動システムにおけるEOSのいくつかの一般的な原因を列挙します。
まず、EOSの定義
一般化電気ストレス（EOS）とは、部品が受ける電流または電圧ストレスが最大許容範囲を超えることを指します。 過電流ストレスは、フォトカプラデバイスに影響を与える要因の1つです。
第二に、EOS規制の制限
私たちはEOSが何であるかを理解しています、それで我々はどのように限界が何であるかを知ることができますか？ これを達成するために、電子製品データシートの絶対最大定格表を注意深く見直す必要があります（表1を参照してください。これはDRV8701製品マニュアルからのものです）。 絶対最大定格の仕様は、それらが永久的に損傷を受けるようなものです。 製品データシートでは、絶対最大定格は推奨動作条件とは異なります。 仕様が推奨動作条件を超える場合、デバイスは動作を継続できますが、製品仕様の推奨動作条件外の仕様でのみです。 表1の違反の例は次のとおりです。電源レールで一時的なイベントが発生すると、VM電源ピンは50Vに達します...
第三に、EOSの共通のルーツ
モーター駆動システムにおけるEOSの一般的な根本原因は何ですか？
1、電源過電圧
EOSの最も一般的な原因の1つは、デバイスの電源入力での過電圧イベントです。 電源の過電圧は、モータの回生エネルギー、またはコンポーネントの故障など、システムの外部イベントによって発生する可能性があります。 過電圧イベントの根本的な原因を理解するには、考えられるすべての内部および外部の動作条件下でシステム電源レールを監視する必要があります。
2、スイッチングトランジェント
モータ駆動システムにおけるＥＯＳ現象の他の一般的な原因は、電力用金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）のスイッチングに伴う過渡電圧である。 理想的なハーフブリッジスイッチングシステムでは、電圧はVGROUNDとVSUPPLYの間で切り替わります。 しかし、実際には、パワーMOSFETやプリント回路基板（PCB）のレイアウトにおける寄生現象が過渡電圧の原因となる可能性があります。電圧はVGROUNDより低くなるか、VSUPPLYより高くなります。
3、MOSFET過電流
TIの内蔵モータドライバは、過電流状態でのEOSを防ぐための過電流および過熱保護を備えています。 ゲートドライバを使用するシステム（外部パワーMOSFET付き）では、MOSFETの安全動作領域の規定に違反しないように注意する必要があります。 パワーMOSFETの製品仕様には、通常、安全動作領域（SOA）のプロットが含まれています。 パワーMOSFETに過剰な電流が流れると、最終的にはデバイスまたはそのパッケージに熱的損傷を与えることになります。
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